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晶圆中保护膜的应用
浏览: 发布日期:2017-12-26

  半导体被称为国家的“产业大米”,是所有电子产品生产都不可缺少的原材料之一不论是民用的电子产品还是高精尖的军用武器,其性能完全依赖于半导体产品的质量。目前市场产业链为IC设计(芯片设计)、IC制造(前道工序的晶圆加工)和IC封测(后道工序封装和测试)。而晶圆作为半导体行业的最重要的一环,更是国家大力扶持的项目之一。接下来为您介绍晶圆制程中保护膜的应用。

一. 研磨(Back Grinding)用保护膜

   根据晶圆尺寸要求或散热要求,有时需将晶圆背面研磨减薄至可接受的厚度,因此研磨制程也可称为“背研”或“减薄”,而研磨过程中需保证碎屑和研磨液不对晶圆造成污染,因此研磨前需在晶圆正面即线路面贴附保护膜(BG Tape)。

   晶圆中锡球的高度越高,研磨时越容易分散以导致晶圆破损或产生波纹,因此需赋予保护膜较好的应力缓和性及延伸性,因此对于高锡球和超薄晶圆的研磨,PO基材的保护膜更为适用。

  晶圆用保护膜一般有普通蓝膜和UV固化减粘膜。UV膜的优势在于研磨后照射UV光使其粘性降低,可在低应力情况下进行剥离作业。高清洁性可保证研磨过程中微观粒子的转移非常少,研磨过程后不需要额外的清洗过程。

二. 切割(Dicing)用保护膜

晶圆切割(即划片)将晶圆上的每一颗晶粒(Die)加以切割分离,先要将晶圆(Wafer)的背面贴上一层保护膜(Wafer Mount),之后再将其送至晶圆切割机加以切割。切割完后,一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上,同时由于框架的支撑可避免晶粒因胶带皱褶而产生碰撞。

与研磨用保护膜类似,切割用保护膜也分为非UV的蓝膜及UV减粘膜,蓝膜成本较低,且适用于大芯片和较厚类型的晶圆;UV膜成本较高但效率较高,尤其适用于小尺寸和超薄类型的晶圆。

针对晶圆工艺,UV保护膜需满足如下要求:

1.胶带具强力的黏着力以固定晶圆,即使是小芯片也不会发生位移或剥除的问题。

2.用紫外线照射降低黏着力,即使是大芯片也能轻松地正确捡拾起芯片。

3.确保胶黏剂不对IC产生污染